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用于抗辐射CMOS图像传感器的有源像素结构

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用于抗辐射CMOS图像传感器的有源像素结构

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专利(申请号):201310062297X

专利 ID :CN103152531A

法律状态:未缴年费专利权终止,等恢复

更新日期:2021-09-27

所属分类:H04N5/374

委托平台办理

专利申请人:天津大学

  新知交易保障

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专利详情
一种用于抗辐射CMOS图像传感器的有源像素结构,有补偿管M14的栅极连接补偿信号,复位管M11的栅极连接复位信号,选通管M13的栅极连接选通信号,补偿管M14的源极、复位管M11的漏极和晶体管M12的漏极均连接电源VDD,补偿管M14的漏极、复位管M11的源极、晶体管M12的栅极和光电二极管PD的N极连在一起,晶体管M12的源极连接选通管M13的漏极,选通管M13的源极连接电流源I的输入端,电流源I的输出端接地,所述的光电二极管PD的P端接地。本发明的用于抗辐射CMOS图像传感器的有源像素结构,可以降低PD自身暗电流对图像质量的影响。同时,本发明的像素可以在总剂量辐照强度较大环境下正常工作,即使有源像素能够工作在强辐照的环境下。

专利交易流程

Patent transaction steps

资料过户
买卖双方需提供资料
公司 个人
买家 企业营业执照
企业组织机构代码证
身份证
卖家 企业营业执照
专利证书原件
身份证
专利证书原件
平台提供 过户后您将获得
专利代理委托书
专利权转让协议
办理文件副本请求书
发明人变更声明
专利证书
手续合格通知书
专利登记簿副本
常见问题

Q:专利年费如何缴纳?

A:授予专利权当年的年费,应在授予专利权通知书中指定的期限内缴纳,以后的年费应在前一年度期满前一个月内预缴。如果没按规定时间缴纳或缴纳数额不足,可在年费期满之日起6个月内补缴,同时缴纳相应数额的滞纳金。

Q:专利的有效期是多少年?

A:发明专利20年;实用新型专利10年;外观设计专利10年。

Q:购买专利的时候要注意些什么问题?

A:1、专利有效期长短。每个专利都有一定有效期,例如实用和外观有效期10年,发明是20年。购买时需要留意您所购买的专利有效期还有多久。
2、专利权人。查看专利权人是否是出售专利者,专利权人是否有多个。避免出现出售者无权销售专利,签订合同无效的情况。
3、专利类型。专利名称会有多个类似,要确认您购买的专利是哪个类型的,与合同是否一致。
4、专利目前授权使用情况。该专利是否有许可转让甚至独占许可过,这些都需要在合同中列明,避免购买了独占许可的专利,而无法使用。
5、专利是否出于有权状态。(是否存在未及时缴纳年费或者被宣布无效等情况)

Q:买的专利多久能下证?

A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《手续合格通知书》。